GB/T 9123.3-2000 榫槽面钢制管法兰盖
作者:标准资料网 时间:2024-05-20 04:19:16 浏览:8580
来源:标准资料网
基本信息
| 标准名称： | 榫槽面钢制管法兰盖 |
| 英文名称： | Steel pipe blank flanges with tongue and groove face |
| 中标分类： |
机械 >>
通用零部件 >>
管路附件 |
| ICS分类： |
流体系统和通用件 >>
管道部件和管道 >>
法兰、管接头及其连接件
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| 替代情况： | GB/T 9123.24～9123.30-1988;被GB/T 9123-2010代替 |
| 发布部门： | 国家质量技术监督局 |
| 发布日期： | 2000-09-02 |
| 实施日期： | 2001-07-01 |
| 首发日期： | 1988-04-25 |
| 作废日期： | 2011-10-01 |
| 主管部门： | 中国机械工业联合会 |
| 归口单位： | 全国管路附件标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 机械科学研究院 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 7页 |
适用范围
本标准规定了公称压力PN为1.6、2.5、4.0、6.3、10.0、16.0MPa和公称压力PN为5.0、11.0、15.0、26.0MPa的榫槽面钢制管法兰盖的型式和尺寸。本标准适用于公称压力PN1.6～PN26.0MPa的榫槽面钢制管法兰盖。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
没有内容
所属分类： 机械 通用零部件 管路附件 流体系统和通用件 管道部件和管道 法兰 管接头及其连接件
基本信息
| 标准名称： | ３ＤＤ５９型和３ＤＤ６０型ＮＰＮ硅外延平面低频大功率三极管 |
| 英文名称： | Detail specification for silicon NPN epitaxial planar low-frequency high power transistors,Type 3DD59 and 3DD60 |
| 中标分类： |
能源、核技术 >>
能源、核技术综合 >>
技术管理 |
| 发布日期： | 1974-10-01 |
| 实施日期： | 1974-10-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 4页 |
适用范围
没有内容
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
没有内容
所属分类： 能源 核技术 能源 核技术综合 技术管理
【英文标准名称】:Measurementofthermalconductivityofthinfilmsonsiliconsubstrates
【原文标准名称】:硅基质上薄膜导热性的测量
【标准号】:ISO/TTA4-2002
【标准状态】:现行
【国别】:国际
【发布日期】:2002-11
【实施或试行日期】:
【发布单位】:国际标准化组织(IX-ISO)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:Insulations;Materialstesting;Microelectronics;Samples;Silicon;Testing;Thermalconductivity;Thermaltesting;Thickness;Thinfilms;Thin-filmtechnology
【摘要】:1.1Astandardprocedureforthethree-omegamethodisproposedformeasuringthethermalconductivityofathin,electricallyinsulatingfilm,onasubstratehavingathermalconductivitysignificantlygreaterthanthethermalconductivityofthefilm.Thismethodisapplicabletoafilmonasiliconsubstratewiththefollowingcharacteristics:a)thefilmiselectricallyinsulating;b)thefilmhasathermalconductivitythatislessthanonetenththethermalconductivityofsilicon;c)thefilmisuniforminthicknessandthethicknessliesintherange0,25μmto1μm;d)themaximumdimensionsofthefilmarelimitedbythesizesofthepreparationandmeasurementapparatus;e)theminimumdimensionsofthefilmarelimitedbytheminimumsizeofthecircuitelementthatcanbeplacedonthefilmsurface.NOTEAspecimenapproximately15mmby25mmisofanappropriatesizealthoughspecimensassmallas10mm×10mmareusable.1.2Themethodisdirectlyapplicabletofilmsofsilicondioxideonsiliconwafersubstrates.1.3Themethodmaybeapplicabletoinsulatingfilmsonotherhigh-thermalconductivitysubstratesprovidedthattheparametersofthesubstratematerialaresubstitutedfortheparametersofsiliconusedinthismethodandtheassociatedcomputerprogram.1.4Themethodisapplicabletomeasurementsnearroomtemperature.
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:17_200_99;19_100;31_080_01
【页数】:19P.;A4
【正文语种】:英语
